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在金属中由于有大量电子移动抵消外加电场，外加的电场能使金属表层的电荷分布发生改变。然而，在半导体中，正负电荷的密度较低，无法完全抵消外加电场，所以外加电场会在半导体材料表面附近改变材料的导电性，这被称为“场效应”。场效应应用于肖特基二极管，场效应晶体管（主要指的是MOSFET，JFET和MESFET）。
在外加电场的作用下，接近半导体表面一定深度下的电子能级发生改变，这导致了材料表面的导电性发生改变，也使得材料表面区域的电子能占有的能级发生变化。这种效应具有代表性的表征方式是“能带弯曲图”。能带弯曲图表征了材料表面的能带边界Ef, Ec, Ev与进入材料深度x之间的关系。
如右图所示一个典型的能带弯曲图。为了简化，能带中的能量单位是eV，电压的单位是V，避免了引入参数q作为单位电荷。右图中显示的是一个双层结构，左边是绝缘体层，右边是半导体层。一个使用类似结构的例子是MOS电容，一个双端的结构，一边是金属栅极端，一边是半导体材料（比如硅）端，中间夹着一层绝缘层（比如氧化硅）。右图中，左边的子图显示出了导带的最低能级（Conduction Edge）和价带的最高能级（Valence Edge）。这些能带在外加电压V的作用下发生弯曲。依照习惯，图中显示的是电子的拥有能量，所以一个正电压作用于半导体材料会使材料表面的能带向下弯曲。虚线表示的是能级占有情况费米能级Ef：低于Ef倾向于被电子占领，导带在外加电压作用下向下弯曲更加接近Ef，表明在接近绝缘层的地方导带中存在更多的电子。
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2012年2月14日，他租借加盟英格兰足球超级联赛球队托特纳姆热刺至赛季结束，热刺在租借期满后可以370万欧元的价格买断乌维尼。 不过乌维尼并未能代表热刺在任何一场正式比赛中出场，租借期满后回归圣保罗。
2012年8月29日，乌维尼和意大利足球甲级联赛球队那不勒斯签约五年。2013年冬季，他被租借到锡耶纳半个赛季，但也未能得到出场机会。
乌维尼是巴西20岁以下国家足球队参加2011年南美青年足球锦标赛的队长，之后他又率领巴西U20赢得2011年世青赛冠军。2012年7月，他入选巴西国奥队参加2012年伦敦奥运会男子足球比赛，最终跟随巴西获得银牌。
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